• High-Tension-Netzteil, DC-Netzteil mit hoher Stromstärke, 10-kV-DC-Netzteil
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Ultraschnelle Hochspannungsdioden der SIC-Serie

Marke :HVDIODE

Produktherkunft :CHINA

Lieferzeit :5 bis 60 Tage

Lieferkapazität :50KK

1. Geringe Leckage, resistent gegen Überspannung, resistent gegen Schock. 2. High-Speed-Transfer-Schalter Reaktion, Reverse Recovery-Zeit für 40ns. 3. Hohe Hitzebeständigkeit, PN Junction Temperaturspitze 150 ℃ 4. Umweltfreundlicher Prozess, internationale Standards 5. Unter Verwendung des Epoxidharzformteil-Vakuumpakets, mit korrosionsbeständiger Oberfläche

Hochspannungsnebenstellen-Ausrüstung, Hochspannungstest-Satz-Hersteller

Produktübersicht:

UnserHochspannungs-Dioden-Produktebestehen aus mehreren Miniatur-PN-Junction-Chips in Serie, die dieHochspannungswiderstand geschichtet modularKonstruktionen.

Produkt-Eigenschaften: Hohe Umkehrdurchbruchspannung, niedriger Durchlassspannungsabfall, hoher gegenwärtiger Widerstand, ultraschnelle Wiederherstellungszeit, Hochspannungsnebenstellen-Ausrüstung niedriger Ableitstrom, passte in harten Arbeitszustand und so weiter.

Technologie-Anwendung für diese Serie Produkte: Hochspannungs-und Hitzebeständigkeit strukturellen Designs; High Voltage Substation Equipment spezielle Schneidtechnik für Chips; Adoptieren Sie neue und erweiterte hohe Hitzebeständigkeit schützende Kleber Passivierung, um sicherzustellen, dass die Miniatur-Kunststoff-Gehäuse Feuchtigkeitsbeständigkeit erreichen die internationale Advanced Level; Annahme einer neuen Formmasse für die Modellierung eines Pakets, um sicherzustellen, dass die Feuchtigkeits- und Wärmebeständigkeit der Siliziumstapel international fortgeschritten ist.


Eigenschaften der Siliziumkarbid-Diode SLSIC1200-6 / 12/20

--1200V Schottky-Gleichrichterdiode

- 0 Rückstrom

- 0 Rückspeisungsspannung

- Hochfrequenzbetrieb

- Unabhängige Schaltcharakteristik

--Hochgeschwindigkeitsschalter

--Positiver Temperaturkoeffizient VF


Vorteile der Siliziumkarbid-Diode SLSIC1200-6 / 12/20

- Monopoltyp ersetzt bipolaren Typ

- Niedriger Schaltverlust

- Höhere Effizienz

- Verringern Sie die Wärmeableitungsanforderungen

- Keine thermischen durchgehenden parallelen Vorrichtungen


Anwendungen der Siliziumkarbid-Diode SLSIC1200-6 / 12/20

--Schaltnetzteile (SMPS)

- Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

--Motorantrieb

 

ArtVrrm (KV)IO (A)IFSM (A)VFM (V)IR (μA)TRR (nS)Tstg (℃)Größe (mm)


SLSIC1200-6


1.2

23 T = 25 ℃

9 T = 135 ℃

6,5 T = 150 ℃


1,8 T = 25 ℃

2,4 T = 175 ℃

40 T = 25 ℃

160 T = 175 ℃


≈0


-55 bis 175


TO-220-2


SLSIC1200-12


1.2

42,5 T = 25 ℃

16.5 T = 135 ℃

12 T = 150 ℃


1,8 T = 25 ℃

2,4 T = 175 ℃

75 T = 25 ℃

285 T = 175 ℃


≈0


-55 bis 175


TO-220-2


SLSIC1200-20


1.2

72 T = 25 ℃

30 T = 135 ℃

22 T = 150 ℃


1,8 T = 25 ℃

2,4 T = 175 ℃

60 T = 25 ℃

220 T = 175 ℃


≈0


-55 bis 175


TO-247-3


Anshan Suly Elektronik GmbHist ein professionelles High-Tech-Unternehmen, das sich auf Forschung und Entwicklung, Konstruktion und Produktion von Hochspannungs-Gleichrichterkomponenten für verschiedene Bereiche konzentriert.

Unsere wichtigsten Produkte sind Hochspannungs-Silizium-Stacks, industrielle spezielle Silizium-Stacks, Hochspannungs-Silizium-Gleichrichter-Dioden, High Voltage Test Set Hersteller Hochspannungs-Silizium-Stacks von Mikrowellenherd, Hochspannungs-Silizium-Gleichrichter Brücken, Hochspannungs-Gleichrichter-Komponenten, Hochspannungsmodule und so weiter .


HVDIODE Produktesind weit verbreitet in medizinischen Geräten, elektrostatische Präzipitation, Sprühen, Hochfrequenz thermische Bindung, Öl Dehydrieren, Hochspannungserkennung, Plasma-Injektion, Ionenbeschleunigung, High Voltage Test Set Hersteller Elektronenstrahlschweißen, Elektronenmikroskopie, Luftreinigung, Vakuumbeschichtung, Ultraschallreinigung , Hochenergiezündung, industrielle Mikrowelle der Röntgenstrahlmaschine, Radarmodulation, Laser-Ausrüstungen, alle Arten Stromversorgung und andere elektronische Ausrüstungen.


HVDIODE-Produkte verkaufen sich gut im In- und Ausland.

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